IEC62446-1:2018測(cè)試要求之I-V曲線測(cè)量原理和紅外測(cè)量

發(fā)布時(shí)間：2024-09-07 13:07 熱度：74

發(fā)布時(shí)間：2022年09月28日作者：德國(guó)GMC-I高美測(cè)儀（上海電勵(lì)士）

☆ 串I-V曲線測(cè)量

☆ 紅外測(cè)量

備注：通常情況第2類測(cè)試適用

于中大型電站系統(tǒng)抽樣測(cè)試，抽樣比例需要和客戶事先商定

IEC62446-1:2018測(cè)試程序組串I-V曲線測(cè)量原理：

組串I-V曲線測(cè)量可獲得如下信息：

☆ 開路電壓Voc、短路電流Isc

☆ Vmpp、Impp、最大功率Pmax u方陣性能的測(cè)量值 u組件/組串填充系數(shù) u識(shí)別組件/陣列缺陷或遮光問題

備注：I-V曲線測(cè)試儀可同時(shí)轉(zhuǎn)換為STC狀態(tài)下的功率值，用于和銘牌標(biāo)稱值進(jìn)行對(duì)比

☆ 確保待測(cè)組串和逆變器斷開

☆ 被測(cè)試組串應(yīng)該隔離并連接到I-V曲線測(cè)試設(shè)備。

☆ 根據(jù)被測(cè)試組件的特性、類型和數(shù)量對(duì)測(cè)試儀器進(jìn)行設(shè)置。

☆ 與I-V 曲線測(cè)試儀相關(guān)的輻照度計(jì)應(yīng)安裝成與陣列平面匹配，并對(duì)其進(jìn)行檢查以確保其不受任何局部遮光或反射光的影響。

☆ 在使用參考電池裝置的情況下，應(yīng)對(duì)其進(jìn)行檢查，以確保其與被測(cè)陣列具有相同的電池技術(shù)，或者針對(duì)技術(shù)上的差異進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?nbsp;

☆ 測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)換為STC狀態(tài)下的功率值

該測(cè)試主要著眼于陣列中的異常溫度變化，通常這些異常的溫度變化是各種故障造成：

☆ IR測(cè)試結(jié)果 – 組件熱斑

通常組件溫度應(yīng)相對(duì)均勻，無明顯溫差區(qū)域，但組件在接線盒周圍更熱，因?yàn)闊崃坎粫?huì)被傳導(dǎo)到周圍環(huán)境，另外組件在邊緣、標(biāo)簽、周邊和支撐處看到溫度梯度也是正常的。

☆ IR測(cè)試結(jié)果 - 旁路二極管

如果任何旁路二極管是熱的（打開的），檢查尋找明顯的原因，例如由于二極管保護(hù)的組件上的遮擋或碎片。如果沒有明顯的原因，可以懷疑是一個(gè)壞的組件。

☆ IR測(cè)試結(jié)果 - 電纜連接

組件之間的電線連接不應(yīng)顯著高于電線本身。如果連接更熱，請(qǐng)檢查連接是否松動(dòng)或被腐蝕。

EC62446-1:2018版標(biāo)準(zhǔn)主要分兩部分：系統(tǒng)文檔要求和驗(yàn)證要求

與2016版相比，系統(tǒng)文檔要求基本沒有變化，對(duì)驗(yàn)證要求中測(cè)試細(xì)節(jié)做了優(yōu)化，例如對(duì)于測(cè)試結(jié)果的比對(duì)做了詳細(xì)說明并給出限值，增加1000v以上組件的絕緣電阻測(cè)試。

保留了2016版的附錄D，對(duì)于I-V曲線畸變的原因的判讀，有很高的參考意義

國(guó)內(nèi)針對(duì)IEC62446.1-2018版推出團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CPIA 0010，在IEC原版基礎(chǔ)上根據(jù)國(guó)情做了內(nèi)容上大幅度的增加，刪減，變更，可參考。

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